鸿岳资本
一根DDR5内存芯片，价格一年涨了414%。这不是炒作，这是AI算力掀起的存储“超级周期”，全球市场为之疯狂。
这一次，牌桌上不只三星、海力士和美光，中国存储产业坐到了他们对面。
长鑫科技一个季度狂赚247亿元，直接填平两年亏损；长江存储全球份额飙升，或首次逼近全球前三。
在两大存储大厂的带动下，设备、材料、封测整条产业链集体爆发，中国第一次拥有了从晶圆到模组的全链路自主能力。
答案不在“超级周期”的风口，而在风口到来之前那些年无人看见的冷板凳上。
从1975年北大实验室里第一块1024位MOS DRAM开始，中国存储用近半个世纪的追赶、近十年的巨额亏损和数千亿元投入，换来了今天的“一鸣惊人”。
这场“超级周期”，正带给存储产业的巨变和机遇。
世界 半导体 贸易统计组织（WSTS），将集成电路分成四大类：逻辑芯片、 存储芯片 、微处理器、模拟芯片。
结合WSTS多年数据来看， 存储芯片 具有强周期属性，上行期占全球 半导体 销售额可超过30%，成为 半导体 最大品类；下行期可跌至23%以下。
强周期性的特点，为中国提供了“弯道超车”的可能。王阳元、朱一明等“关键先生”，则助推了这一进程。
1975年，由北京大学王阳元带领的团队，在没有图纸、资料和设备的情况下，研制出第一块1024位MOS动态随机存取存储器。
此后一段时期，中国存储产业有过零星尝试，屡败屡战，未形成体系化布局。
2004年，在硅谷半导体公司工作的朱一明，敏锐地察觉到，存储行业曾从美国转移至日本，再转移至韩国、中国台湾，中国大陆同样有机会诞生“中国版三星”。
他作了一个足以影响中国存储行业的决定，放弃硅谷工作，于2005年回国创办“芯技佳易”（ 兆易创新 前身），专注于 存储芯片 领域。
一开始，芯技佳易专注SRAM领域，后又转攻巨头们战略性放弃的NOR Flash利基市场，慢慢站稳脚跟。
“任何一个产业的发展都要有一个过程，从小到大，从弱到强，要避免一开始就与‘强敌’正面竞争。”朱一明如此解释。
朱一明与合肥政府达成协议，双方联合创立长鑫科技，全力攻坚技术壁垒极高的DRAM制造。彼时，“三巨头”已拿下全球90%以上份额，技术、资金、专利三重高墙把中国挡在门外。
2018年，在长鑫存储即将量产的关键节点，朱一明辞去 兆易创新 总经理职务，全身心投入长鑫，并立下军令状：在项目盈利之前，不领取任何薪酬和奖金。
第二年7月，长鑫实现8Gb DDR4工程样品试产，中国不能制造DRAM的历史被终结了。
真正让长鑫突破巨头封锁的，是朱一明最为关键的战略决策：跳代研发。
他放弃常规追赶路线，直接跳过成熟但落后的DDR4产品，全力攻坚DDR5、LPDDR5高端存储芯片。2024年底，长鑫果断全面停产DDR4，将全部产能转向AI高端算力赛道。
即便在行业低谷期，朱一明也始终坚持逆周期布局：
2023年全球DRAM价格暴跌40%，巨头纷纷收缩战线，他带领长鑫逆势扩产，将月产能从9万片提升至15万片。
跳代研发+逆势扩产，长鑫由此精准踩中存储行业的“超级周期”。
长鑫科技的故事里站着一位孤注一掷的英雄，而长江存储崛起的背后，则是一座城市长达20多年的“静默陪跑”。
2000年起，作为中心城市的武汉，期待引入集成电路这样的新兴产业，先后寻找10多家国内外知名芯片厂合作。
最终，他们偶然邀请到 中芯国际 高层到武汉考察，双方决定在2006年成立武汉新芯，启动中部地区第一条12英寸集成电路生产线项目。
武汉新芯的发展并不顺利，为了活下去，曾为美国闪存厂飞索代工，飞索随后破产。此时， 台积电 、美光等看中武汉新芯，准备收购。
武汉政府坚持了下来，决定自主发展武汉新芯。2013年 中芯国际 退出新芯，武汉力邀原 中芯国际 首席运营官杨士宁加入，自主开拓市场。
2014年6月，国务院印发《国家集成电路产业发展推进纲要》，决定了首个主攻对象为存储芯片；同年9月设立“国家集成电路产业投资基金”，武汉新芯受到政策的青睐和扶持。
2016年3月，总投资1600亿元的国家存储器基地落地武汉光谷，成为“新中国成立以来湖北省最大的单体投资高科技产业项目”。
当时，专家就表示：“这绝不是今年投钱、明年赚钱的项目，而是5到10年的长期投入。”
同年7月，长江存储在武汉新芯基础上整合成立，一、二期联合出资方涵盖国家大基金、紫光集团、湖北地方国资等。
与长鑫存储主攻DRAM不同，长江存储瞄准的是NAND闪存领域。
那时，中国在NAND闪存领域几乎没有技术积累，长江存储下定决心绕开海外厂商的2D NAND专利壁垒，直接切入3D NAND赛道。
2018年，长江存储量产第一代32层3D NAND Flash芯片，中国首次在NAND闪存领域实现“从0到1”的关键跨越，其后，在堆叠层数上追赶国际主流水平，64层、128层相继量产。
2022年，其正式推出基于Xtacking 3.0架构的232层闪存，首次在堆叠层数上比肩国际对手。
到2025年，第五代QLC 3D NAND X4-6080发布，晶栈Xtacking 4.0架构正式投用，长江存储成为全球NAND领域不可忽视的玩家。
十年冷板凳坐穿，只为等待一个爆发窗口。
2025年下半年起，存储芯片出现结构性供需缺口，涨价潮随之席卷全球。
此时，长鑫科技已完成一轮全面的技术升级，产能集中转向DDR5及LPDDR5/5X等高端产品，其全球份额，在2025年第四季度增至7.67%。
2025年第四季度，其全球NAND市场份额已达11%，位列全球第六，部分机构预测其最新份额已逼近全球第三。
21世纪经济研究院发现，低谷期扩张产能，高峰期兑现价值，避开正面拼技术代差，在产业节奏上找胜算。这是中国存储用十年冷板凳坐出来的战略判断。
回看来时路，中国存储芯片的起步，是一次在棋盘几乎已定局时强行落子的“极限突围”，这场突围需要的技术、资本、人才、政策，缺一不可。
首先，一群半导体人才，以超前的战略眼光与担当，赌上个人职业生涯全力创业，以20多年深耕打破国外垄断。
例如，长鑫除了朱一明，前 中芯国际 CEO王宁国也贡献良多。
长鑫最初的技术，主要来自德国DRAM厂商奇梦达（Qimonda，已破产）的沉淀与专利许可，再通过自主研发、国际合作快速迭代。
长鑫成立之初，就是合肥国资直接下场，以144亿元包揽项目八成出资，用超常规的速度推进产线建设，接下来是长达数年的持续投入。
仅2022年至2024年，长鑫科技累计亏损就超过318亿元，各级国资承受的压力可见一斑。
在武汉，当湖北决定举全省之力投资千亿存储器项目时，亦被视为一场“豪赌”。
2014年成立的国家集成电路产业投资基金（“国家大基金”），则以资本力量扮演着战略引导与杠杆放大的角色。
从一期基金约1387亿元规模，到三期高达3440亿元的资金规模，累计撬动社会资本的规模达到数万亿元。
其投资重点也从早期的制造环节，逐渐转向设备、材料、EDA等“卡脖子”环节与 人工智能 芯片、 先进封装 等前沿领域，以真金 白银 支持关键技术突破。
“完善新型举国体制，采取超常规措施，全链条推动集成电路、 工业母机 、高端仪器、基础软件、先进材料、生物制造等重点领域关键核心技术攻关取得决定性突破。”
在存储产业，中国的“新型举国体制”迎来阶段性胜利，正是各方的托举，两家存储原厂才在“超级周期”中坐上牌桌，两家的加速证券化，则形成资本反哺产业的良性互动。
在“两存”的带动下，整条产业链正在以前所未有的速度奔跑。
长江存储正在进行“史诗级扩产”：三期工厂设备安装已启动，预计2026年底投产，届时有望超越美国存储芯片巨头美光，成为全球第四大存储芯片制造商。
据估算，三期计划将带动上下游200家企业聚集，形成千亿级的产业集群。
长鑫存储2026年二季度正式开启招投标，全年计划扩产5万至6万片晶圆。其将带动设备采购需求达50亿-60亿美元，订单也会加速向国内设备商倾斜。
两大存储龙头同步扩产，直接为国内设备、材料、封测企业创造宝贵的“入场验证”和“批量供货”机会，这是中国半导体产业链从“备选”走向“必选”的关键一跃。
“在AI的带动下，订单正一个接一个地来。”一家半导体装备企业内部人士对21记者表示。
封测环节是扩产落地的“最后一公里”。
日前，A股封测龙头 长电科技 大幅上调2026年固定资产投资预算，重点投向 先进封装 产线建设； 通富微电 、 华天科技 、 太极实业 等封测企业也在积极扩充先进产能。
更令人振奋的是，中国半导体产业已开始承接全球订单。
中芯国际 联合CEO赵海军表示，当前全球产能紧张，AI相关需求旺盛且利润较高，原本在海外代工的手机、电脑、IoT及网通类产品难以继续生产，大量海外客户订单正转移至国内制造。
中国本土产能建设快、规模大，有能力承接大量回流的订单。
扩产的终局，不是产能的简单叠加，而是产业链话语权的根本转移。
当中国存储企业从“替补”变成“主力”，当“两存”扩产的订单持续灌溉设备、材料、封测等各个环节，整条中国半导体产业链正经历一场从量变到质变的跃升。
当前，SK海力士、三星、美光三大存储原厂，正将先进制程产能向HBM倾斜。
HBM是一种新型的存储芯片技术，通过将多个存储芯片堆叠在一起后和GPU封装，实现大容量和高速数据传输的需求，产业已迭代出HBM2、HBM3、HBM4等多个版本，产能主要由三巨头把持。
市场在售的HBM产品主要是HBM3。
公开数据显示，一颗HBM3的价格，从2025年第二季度的低点约180至220美元，飙涨至2026年第二季度（现货价）的700至850美元，涨幅超3倍。
这一涨幅，是同期普通DRAM、NAND的近4倍。
HBM的技术难点，主要包括TSV（硅通孔）工艺、电镀、测试、键合等环节。
其中TSV是核心工艺，对设备和技术精度要求极高；电镀、测试、键合等同需要高精度设备与工艺，以保证产品的稳定性和可靠性。
长鑫科技也坦言，工艺技术水平等与三巨头仍有一定差距，产品结构处于持续优化状态，其并未将HBM作为主要产品纳入招股书。
据市场消息，长鑫存储正在进行HBM3送样，预计2026年底前后小批量试产。
在配套端， 长电科技 、 通富微电 均参与HBM 先进封装 的技术研发； 华海诚科 的高端材料GMC（高性能环氧塑封料）已通过客户验证，而GMC是HBM的必备材料。
长电科技 2026年固定资产投资重点投向2.5D/3D晶圆级封装，精准卡位HBM带来的先进封装需求。
在这一轮，中国拥有了全链路自主供给能力——从晶圆制造、设备材料到封测模组，从DRAM到NAND，并有望在未来延伸至HBM。
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